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Bookmarks: p1 (p1): 第1章 MEMS技术与器件发展概述
p1-1 (p1): 1.1 概述
p1-2 (p2): 1.2 MEMS器件
p1-2-1 (p2): 1.2.1 MEMS振荡器
p1-2-2 (p4): 1.2.2 MEMS麦克风
p1-2-3 (p6): 1.2.3 MEMS微镜头
p1-2-4 (p7): 1.2.4 数字微镜器件／数字光学投影技术
p1-2-5 (p8): 1.2.5 MEMS压力传感器
p1-2-6 (p9): 1.2.6 MEMS运动测量器件
p1-2-7 (p10): 1.2.7 微能源器件
p1-2-8 (p13): 1.2.8 MEMS片上实验室／微流控器件
p1-2-9 (p14): 1.2.9 其他MEMS器件
p1-3 (p14): 1.3 MEMS商业产品（系统）
p1-3-1 (p15): 1.3.1 医疗健康
p1-3-2 (p20): 1.3.2 运动信息检测
p1-3-3 (p22): 1.3.3 消费类电子
p1-3-4 (p24): 1.3.4 汽车工业
p1-3-5 (p24): 1.3.5 其他应用
p1-4 (p25): 1.4 产业分析
p1-4-1 (p25): 1.4.1 三波应用高潮
p1-4-2 (p26): 1.4.2 MEMS产业发展趋势
p1-5 (p27): 参考文献
p2 (p28): 第2章 MEMS工艺与设计规则简介
p2-1 (p29): 2.1 硅MEMS工艺
p2-1-1 (p30): 2.1.1 湿法清洗工艺
p2-1-2 (p30): 2.1.2 氧化工艺
p2-1-3 (p30): 2.1.3 光刻工艺
p2-1-4 (p31): 2.1.4 薄膜淀积工艺
p2-1-5 (p31): 2.1.5 掺杂工艺
p2-1-6 (p32): 2.1.6 刻蚀工艺
p2-1-7 (p32): 2.1.7 键合工艺
p2-1-8 (p33): 2.1.8 测试封装工艺
p2-2 (p33): 2.2 MEMS器件中的新材料
p2-2-1 (p33): 2.2.1 敏感材料的本质和特点
p2-2-2 (p34): 2.2.2 敏感材料的分类
p2-2-3 (p37): 2.2.3 敏感材料最新研究进展
p2-2-4 (p39): 2.2.4 敏感材料未来发展前景
p2-3 (p39): 2.3 光刻版图设计
p2-3-1 (p40): 2.3.1 光刻版图设计规则类型
p2-3-2 (p42): 2.3.2 同一图层内图形几何尺寸规则
p2-3-3 (p42): 2.3.3 不同层间包含及覆盖几何尺寸规则
p2-3-4 (p43): 2.3.4 版图设计尺寸规则
p2-3-5 (p44): 2.3.5 版图对准标记设计要求
p2-3-6 (p48): 2.3.6 版图设计中的注意事项
p2-4 (p49): 2.4 测试结构设计
p2-5 (p53): 2.5 制造工艺误差
p2-5-1 (p53): 2.5.1 误差分类
p2-5-2 (p55): 2.5.2 在制造中的实际误差
p2-6 (p65): 2.6 典型体硅标准工艺
p2-6-1 (p65): 2.6.1 SOI工艺
p2-6-2 (p65): 2.6.2 SOG工艺
p2-7 (p68): 2.7 典型体硅标准工艺扩展
p2-8 (p70): 2.8 压阻工艺
p2-9 (p73): 2.9 悬臂梁工艺
p2-9-1 (p73): 2.9.1 悬臂梁的基本原理
p2-9-2 (p76): 2.9.2 悬臂梁的制造工艺
p2-10 (p77): 参考文献
p3 (p79): 第3章 湿法清洗
p3-1 (p79): 3.1 相关概念与清洗的基本原理
p3-1-1 (p79): 3.1.1 洁净度
p3-1-2 (p80): 3.1.2 污染源分类
p3-1-3 (p83): 3.1.3 污染源控制
p3-1-4 (p84): 3.1.4 清洗的基本原理
p3-2 (p85): 3.2 湿法清洗常用方法与技术
p3-2-1 (p87): 3.2.1 RCA清洗技术
p3-2-2 (p88): 3.2.2 改进RCA清洗技术
p3-3 (p89): 3.3 常用清洗设备
p3-3-1 (p89): 3.3.1 RCA清洗设备
p3-3-2 (p90): 3.3.2 其他清洗设备
p3-4 (p94): 3.4 质量控制
p3-4-1 (p94): 3.4.1 硅片表面的平行光束检查
p3-4-2 (p94): 3.4.2 暗场显微镜检查
p3-4-3 (p94): 3.4.3 出水电阻率检查
p3-5 (p95): 3.5 案例分析
p3-5-1 (p95): 3.5.1 湿法去胶清洗案例分析
p3-5-2 (p95): 3.5.2 湿法释放案例分析
p3-5-3 (p96): 3.5.3 湿法工艺形成多孔硅案例分析
p3-6 (p97): 参考文献
p4 (p99): 第4章 氧化
p4-1 (p99): 4.1 基本理论
p4-1-1 (p99): 4.1.1 氧化的原理
p4-1-2 (p101): 4.1.2 氧化的作用
p4-2 (p102): 4.2 热氧化工艺
p4-2-1 (p102): 4.2.1 干氧氧化
p4-2-2 (p103): 4.2.2 水汽氧化
p4-2-3 (p103): 4.2.3 湿氧氧化
p4-3 (p103): 4.3 热氧化工艺影响因素
p4-4 (p104): 4.4 氧化设备
p4-4-1 (p104): 4.4.1 氧化设备简介
p4-4-2 (p105): 4.4.2 氧化设备的结构
p4-4-3 (p106): 4.4.3 氧化设备的工艺原理
p4-5 (p107): 4.5 氧化工艺案例分析
p4-5-1 (p107): 4.5.1 干氧制备氧化膜案例分析
p4-5-2 (p108): 4.5.2 氢氧合成制备氧化膜案例分析
p4-6 (p108): 参考文献
p5 (p110): 第5章 光刻与图形化
p5-1 (p110): 5.1 光刻概述
p5-2 (p111): 5.2 光刻工艺流程
p5-2-1 (p111): 5.2.1 气相淀积膜
p5-2-2 (p112): 5.2.2 光刻涂胶
p5-2-3 (p126): 5.2.3 曝光
p5-2-4 (p129): 5.2.4 投影掩模版
p5-2-5 (p129): 5.2.5 对准
p5-2-6 (p130): 5.2.6 曝光
p5-2-7 (p131): 5.2.7 显影
p5-3 (p137): 5.3 双面光刻
p5-3-1 (p137): 5.3.1 双面对准技术的工作原理
p5-3-2 (p138): 5.3.2 双面对准的基本过程
p5-4 (p139): 5.4 纳米压印
p5-4-1 (p139): 5.4.1 纳米压印光刻原理
p5-4-2 (p139): 5.4.2 热压印法
p5-4-3 (p140): 5.4.3 紫外硬化压印光刻技术
p5-4-4 (p140): 5.4.4 闪光压印
p5-4-5 (p141): 5.4.5 微接触压印光刻
p5-5 (p141): 5.5 灰度光刻
p5-6 (p142): 5.6 电子束光刻
p5-6-1 (p142): 5.6.1 电子束光刻的发展
p5-6-2 (p144): 5.6.2 电子束光刻技术目前存在的问题
p5-6-3 (p144): 5.6.3 邻近效应
p5-6-4 (p145): 5.6.4 电子束光刻系统的效率
p5-6-5 (p146): 5.6.5 抗蚀剂
p5-7 (p146): 5.7 光刻设备
p5-7-1 (p146): 5.7.1 光刻机
p5-7-2 (p148): 5.7.2 光刻机发展
p5-7-3 (p151): 5.7.3 光刻技术主要指标
p5-7-4 (p152): 5.7.4 步进式光刻机
p5-7-5 (p155): 5.7.5 极紫外光刻
p5-8 (p155): 5.8 光刻工艺案例分析
p5-8-1 (p155): 5.8.1 AZ P4620光刻胶厚胶工艺
p5-8-2 (p158): 5.8.2 AZ 5214E光刻胶反转工艺
p5-9 (p160): 参考文献
p6 (p162): 第6章 薄膜淀积
p6-1 (p162): 6.1 薄膜生长
p6-2 (p163): 6.2 化学气相沉积
p6-2-1 (p163): 6.2.1 基本理论
p6-2-2 (p165): 6.2.2 CVD的分类
p6-2-3 (p167): 6.2.3 不同CVD技术之间的对比
p6-2-4 (p167): 6.2.4 典型CVD设备
p6-3 (p170): 6.3 物理气相沉积
p6-3-1 (p171): 6.3.1 真空蒸发镀膜
p6-3-2 (p174): 6.3.2 溅射镀膜
p6-4 (p178): 6.4 其他成膜方式
p6-4-1 (p178): 6.4.1 金属有机物化学气相沉积
p6-4-2 (p180): 6.4.2 原子层沉积
p6-4-3 (p182): 6.4.3 外延
p6-5 (p182): 6.5 薄膜淀积工艺案例分析
p6-5-1 (p182): 6.5.1 LPCVD沉积氮化硅案例分析
p6-5-2 (p183): 6.5.2 蒸发钛／铂／金／（Ti/Pt/Au）电极案例分析
p6-5-3 (p184): 6.5.3 反应溅射氮化铝（AIN）薄膜案例分析
p6-6 (p185): 参考文献
p7 (p186): 第7章 掺杂
p7-1 (p186): 7.1 掺杂的基本理论
p7-2 (p187): 7.2 掺杂工艺
p7-2-1 (p187): 7.2.1 原位掺杂
p7-2-2 (p187): 7.2.2 热扩散
p7-2-3 (p189): 7.2.3 离子注入
p7-2-4 (p191): 7.2.4 等离子体掺杂工艺
p7-2-5 (p192): 7.2.5 常用掺杂工艺的对比
p7-3 (p193): 7.3 退火
p7-3-1 (p193): 7.3.1 传统热退火
p7-3-2 (p193): 7.3.2 快速热退火
p7-3-3 (p194): 7.3.3 低温激活
p7-3-4 (p194): 7.3.4 几种退火方式的比较
p7-4 (p194): 7.4 掺杂设备
p7-4-1 (p195): 7.4.1 离子源
p7-4-2 (p195): 7.4.2 吸极和离子质量分析器
p7-4-3 (p196): 7.4.3 加速系统
p7-4-4 (p196): 7.4.4 扫描系统
p7-4-5 (p197): 7.4.5 工作室
p7-5 (p197): 7.5 掺杂的质量测量
p7-6 (p197): 7.6 掺杂工艺案例分析
p7-6-1 (p197): 7.6.1 离子注入案例分析
p7-6-2 (p198): 7.6.2 离子注入后快速退火案例分析
p7-7 (p201): 参考文献
p8 (p202): 第8章 刻蚀工艺
p8-1 (p202): 8.1 典型刻蚀工艺及对比
p8-1-1 (p202): 8.1.1 干法刻蚀
p8-1-2 (p208): 8.1.2 湿法腐蚀
p8-1-3 (p209): 8.1.3 干法刻蚀与湿法腐蚀的对比
p8-2 (p210): 8.2 刻蚀的主要技术指标
p8-2-1 (p210): 8.2.1 刻蚀速率
p8-2-2 (p210): 8.2.2 刻蚀的剖面形貌
p8-2-3 (p211): 8.2.3 刻蚀偏差
p8-2-4 (p212): 8.2.4 选择比
p8-2-5 (p213): 8.2.5 深宽比
p8-2-6 (p214): 8.2.6 均匀性
p8-2-7 (p215): 8.2.7 负载效应
p8-2-8 (p215): 8.2.8 颗粒污染
p8-2-9 (p216): 8.2.9 残留物
p8-2-10 (p216): 8.2.10 刻蚀终止
p8-3 (p216): 8.3 干法刻蚀机理
p8-3-1 (p216): 8.3.1 物理刻蚀
p8-3-2 (p217): 8.3.2 化学刻蚀
p8-3-3 (p218): 8.3.3 物理和化学刻蚀
p8-4 (p219): 8.4 干法刻蚀设备、工艺原理和工艺能力
p8-4-1 (p219): 8.4.1 干法刻蚀设备的基本组成
p8-4-2 (p220): 8.4.2 反应离子刻蚀机
p8-4-3 (p222): 8.4.3 电感耦合等离子体刻蚀机
p8-4-4 (p223): 8.4.4 深反应离子刻蚀机
p8-4-5 (p226): 8.4.5 二氟化氙干法刻蚀机
p8-4-6 (p228): 8.4.6 金属ICP刻蚀机
p8-4-7 (p229): 8.4.7 离子铣刻蚀机
p8-5 (p230): 8.5 不同材质的干法刻蚀机理
p8-5-1 (p230): 8.5.1 硅的刻蚀
p8-5-2 (p230): 8.5.2 二氧化硅的刻蚀
p8-5-3 (p230): 8.5.3 氮化硅的刻蚀
p8-5-4 (p230): 8.5.4 铝的刻蚀
p8-5-5 (p231): 8.5.5 光刻胶的去除
p8-6 (p231): 8.6 干法刻蚀工艺案例分析
p8-6-1 (p231): 8.6.1 硅的各向异性刻蚀案例分析
p8-6-2 (p234): 8.6.2 硅的各向同性刻蚀案例分析
p8-6-3 (p235): 8.6.3 二氧化硅刻蚀案例分析
p8-6-4 (p238): 8.6.4 氮化硅刻蚀案例分析
p8-7 (p240): 8.7 常用物质的湿法腐蚀工艺原理
p8-7-1 (p240): 8.7.1 硅的腐蚀
p8-7-2 (p247): 8.7.2 绝缘膜腐蚀
p8-7-3 (p249): 8.7.3 金属的腐蚀
p8-8 (p251): 8.8 湿法腐蚀工艺能力
p8-8-1 (p251): 8.8.1 氢氟酸缓冲液腐蚀玻璃工艺
p8-8-2 (p251): 8.8.2 金属腐蚀工艺能力
p8-9 (p252): 8.9 常用腐蚀设备
p8-9-1 (p252): 8.9.1 设备特点
p8-9-2 (p252): 8.9.2 设备单元及功能
p8-10 (p252): 8.10 湿法腐蚀案例分析
p8-10-1 (p252): 8.10.1 腐蚀单晶硅制备硅尖、硅柱、凹槽案例分析
p8-10-2 (p255): 8.10.2 氢氧化钾腐蚀硅减薄案例分析
p8-10-3 (p255): 8.10.3 自停止腐蚀案例分析
p8-11 (p258): 参考文献
p9 (p259): 第9章 MEMS结构工艺
p9-1 (p259): 9.1 典型MEMS结构工艺
p9-1-1 (p259): 9.1.1 硅尖和硅柱
p9-1-2 (p261): 9.1.2 双台阶
p9-1-3 (p262): 9.1.3 硅孔（湿法腐蚀）
p9-2 (p263): 9.2 TSV技术
p9-2-1 (p263): 9.2.1 TSV技术简介
p9-2-2 (p264): 9.2.2 TSV关键工艺技术
p9-2-3 (p269): 9.2.3 TSV在MEMS硅片级封装中的应用
p9-3 (p269): 9.3 电镀技术
p9-3-1 (p270): 9.3.1 电镀铜填充关键因素
p9-3-2 (p271): 9.3.2 电镀铜填充生长机理
p9-3-3 (p274): 9.3.3 电镀铜反应动力学概要
p9-3-4 (p275): 9.3.4 电镀铜中的化学品
p9-3-5 (p277): 9.3.5 用于微制造中的电镀工艺
p9-4 (p278): 9.4 化学机械平坦化
p9-4-1 (p278): 9.4.1 技术简介
p9-4-2 (p280): 9.4.2 传统的平坦化技术
p9-4-3 (p282): 9.4.3 化学机械抛光
p9-4-4 (p284): 9.4.4 CMP的机理
p9-4-5 (p285): 9.4.5 CMP设备
p9-5 (p287): 9.5 硅曲面加工
p9-6 (p289): 9.6 单面外延形成空腔技术
p9-6-1 (p289): 9.6.1 二氧化硅半球壳加工工艺
p9-6-2 (p290): 9.6.2 无硅结构（Silicon-on-nothing）加工工艺
p9-7 (p292): 参考文献
p10 (p294): 第10章 晶圆键合
p10-1 (p295): 10.1 晶圆键合基本理论
p10-2 (p296): 10.2 晶圆键合工艺
p10-2-1 (p296): 10.2.1 直接键合
p10-2-2 (p306): 10.2.2 阳极键合
p10-2-3 (p313): 10.2.3 共晶键合
p10-2-4 (p319): 10.2.4 黏结剂键合
p10-2-5 (p323): 10.2.5 玻璃浆键合
p10-2-6 (p326): 10.2.6 不同键合技术的比较
p10-3 (p327): 10.3 晶圆键合质量检测
p10-3-1 (p327): 10.3.1 晶圆键合空洞的检测
p10-3-2 (p330): 10.3.2 晶圆键合强度的检测
p10-4 (p335): 10.4 键合设备与工艺能力
p10-4-1 (p335): 10.4.1 晶圆键合机的基本组成部分
p10-4-2 (p336): 10.4.2 晶圆键合设备的基本操作原理
p10-5 (p340): 10.5 晶圆键合工艺案例分析
p10-5-1 (p340): 10.5.1 异质化合物的键合案例分析
p10-5-2 (p341): 10.5.2 碳化硅材料的键合案例分析
p10-6 (p343): 参考文献
p11 (p346): 第11章 MEMS封装
p11-1 (p347): 11.1 MEMS封装简介
p11-1-1 (p347): 11.1.1 MEMS封装的基本类型
p11-1-2 (p349): 11.1.2 MEMS封装的特点
p11-1-3 (p351): 11.1.3 MEMS封装的功能
p11-2 (p352): 11.2 MEMS封装的基本工艺
p11-2-1 (p353): 11.2.1 划片工艺
p11-2-2 (p355): 11.2.2 贴片工艺
p11-2-3 (p356): 11.2.3 引线键合
p11-2-4 (p360): 11.2.4 封帽工艺
p11-2-5 (p363): 11.2.5 检漏
p11-3 (p365): 11.3 MEMS封装的质量和可靠性
p11-3-1 (p367): 11.3.1 MEMS封装可靠性
p11-4 (p368): 11.4 MEMS封装技术
p11-4-1 (p368): 11.4.1 倒装焊封装技术
p11-4-2 (p369): 11.4.2 多芯片封装技术
p11-4-3 (p369): 11.4.3 微盖封装
p11-4-4 (p371): 11.4.4 圆片级芯片尺寸封装
p11-4-5 (p371): 11.4.5 三维（3D）封装
p11-5 (p372): 11.5 MEMS封装面临的挑战
p11-6 (p373): 11.6 封装工艺案例分析
p11-6-1 (p373): 11.6.1 陀螺仪的封装工艺案例分析
p11-6-2 (p375): 11.6.2 压力传感器的封装工艺案例分析
p11-7 (p377): 参考文献
p12 (p378): 第12章 检测
p12-1 (p378): 12.1 微纳几何量测试技术
p12-1-1 (p378): 12.1.1 光学显微镜技术
p12-1-2 (p380): 12.1.2 白光干涉形貌检测技术
p12-1-3 (p383): 12.1.3 激光共聚焦显微测量技术
p12-1-4 (p386): 12.1.4 红外透射显微镜技术
p12-1-5 (p390): 12.1.5 光学仪器效果比较
p12-1-6 (p393): 12.1.6 扫描电子显微镜技术
p12-1-7 (p402): 12.1.7 薄膜厚度测试技术
p12-2 (p405): 12.2 薄膜材料的力学性能测试技术
p12-2-1 (p405): 12.2.1 弹性性能
p12-2-2 (p405): 12.2.2 内应力
p12-2-3 (p406): 12.2.3 强度
p12-2-4 (p407): 12.2.4 疲劳
p12-3 (p408): 12.3 晶圆电学参数测量技术
p12-3-1 (p408): 12.3.1 电阻率和薄层电阻（方块电阻）测量
p12-3-2 (p408): 12.3.2 四探针测量法
p12-4 (p410): 参考文献
p13 (p412): 附录A 硅MEMS工艺常用化学品与安全
p13-1 (p412): A.1 危险化学品的概念、分类及其危险特性
p13-1-1 (p412): A.1.1 危险化学品的概念及分类
p13-1-2 (p412): A.1.2 危险化学品的危险特性
p13-2 (p413): A.2 危险化学品使用过程中的个人防护及应急处置
p13-2-1 (p413): A.2.1 化学防护服的使用
p13-2-2 (p413): A.2.2 危险化学品使用过程中的应急处置
p13-3 (p415): A.3 硅MEMS工艺常用危险化学品
p13-3-1 (p415): A.3.1 液态化学品的主要特征及其输送
p13-3-2 (p427): A.3.2 气态化学品的主要特征及其输送
p14 (p450): 附录B 真空系统介绍
p14-1 (p450): B.1 真空的定义
p14-2 (p450): B.2 真空压力
p14-3 (p451): B.3 真空中的气流形态
p14-3-1 (p451): B.3.1 气体分子的平均自由程
p14-3-2 (p451): B.3.2 黏滞性气流
p14-3-3 (p451): B.3.3 过渡气流
p14-3-4 (p451): B.3.4 分子气流
p14-4 (p452): B.4 气体理论
p14-4-1 (p453): B.4.1 理想气体定理
p14-4-2 (p453): B.4.2 玻意耳定理
p14-5 (p453): B.5 真空技术的基本量
p14-6 (p454): B.6 真空应用
p14-7 (p455): B.7 真空的产生方式
p14-7-1 (p455): B.7.1 真空泵的分类
p14-7-2 (p456): B.7.2 真空泵性能参量
p14-7-3 (p457): B.7.3 粗真空到中度真空用泵
p14-7-4 (p458): B.7.4 高真空到超高真空用泵
p14-8 (p459): B.8 检漏技术与清洁维护
p14-8-1 (p459): B.8.1 真空系统的漏气
p14-8-2 (p460): B.8.2 检漏
p14-8-3 (p461): B.8.3 真空系统的污染
p14-9 (p461): B.9 常见故障与排除
p14-10 (p462): B.10 清洁方法
p14-11 (p463): B.11 维修注意事项
p14-12 (p463): B.12 定期检查

2024-06-27