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Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design (Springer Series in Advanced Microelectronics, 31) 🔍
edited by Koichiro Ishibashi, Kenichi Osada Springer-Verlag Berlin Heidelberg; Springer, Springer Nature, Berlin, Heidelberg, 2011
英语 [en] · PDF · 7.8MB · 2011 · 📗 未知类型的图书 · 🚀/ia · Save
描述
Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.
Erscheinungsdatum: 18.08.2011
备选作者
Ishibashi, Koichiro; Osada, Kenichi
备用出版商
Spektrum Akademischer Verlag. in Springer-Verlag GmbH
备用出版商
Steinkopff. in Springer-Verlag GmbH
备用出版商
Berlin ; New York: Springer
备用出版商
Scholars Portal
备用版本
Springer Series in Advanced Microelectronics -- 31, Berlin, Heidelberg, Germany, 2011
备用版本
Springer series in advanced microelectronics, 31, Berlin ; New York, ©2011
备用版本
Germany, Germany
备用版本
2019
元数据中的注释
MiU
备用描述
xi, 143 p. : 24 cm
Includes bibliographical references and index
开源日期
2023-06-28
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