机电产品微细加工技术与工艺 Ji dian chan pin wei xi jia gong ji shu yu gong yi 🔍
胡耀志等编著, 胡耀志等编著, 胡耀志, Yaozhi Hu
广州:广东科技出版社, 1993, 1993
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1 (p1): 第一章 微细加工的基本方法 1 (p1-2): 第一节 微细加工的范围、特点和应用 1 (p1-3): 一、微细加工的范围及特点 3 (p1-4): 二、微细加工的应用及分类 5 (p1-5): 第二节 机械微细加工 5 (p1-6): 一、微细切削加工 6 (p1-7): 二、微孔加工 10 (p1-8): 三、变形加工 13 (p1-9): 四、磨料加工 18 (p1-10): 五、喷射加工 22 (p1-11): 第三节 化学方法的微细加工 22 (p1-12): 一、化学刻蚀 27 (p1-13): 二、化学抛光 33 (p1-14): 第四节 电化学的微细加工 34 (p1-15): 一、电铸法微细加工 37 (p1-16): 二、电解加工 39 (p1-17): 三、电解磨削 41 (p1-18): 四、电解抛光 45 (p1-19): 一、电子束加工 45 (p1-20): 第五节 粒子束的微细加工 49 (p1-21): 二、离子束微细加工 49 (p1-22): 三、分子束和原子束加工 50 (p1-23): 四、激光微细加工 58 (p1-24): 第六节 微波和超声波加工 58 (p1-25): 一、微波微细加工 59 (p1-26): 二、超声波微细加工 64 (p2): 第二章 微电子技术中图形加工的一般方法 64 (p2-2): 第一节 制造微细图形的要求 66 (p2-3): 第二节 外延 69 (p2-4): 第三节 氧化 72 (p2-5): 第四节 光刻 74 (p2-6): 一、制版工艺 76 (p2-7): 二、投影复制 76 (p2-8): 三、电子束光刻 79 (p2-9): 四、X射线光刻 81 (p2-10): 第五节 刻蚀 82 (p2-11): 一、化学刻蚀 82 (p2-12): 二、各向异性刻蚀 85 (p2-13): 第六节 掺杂 86 (p2-14): 一、扩散 90 (p2-15): 二、离子注入 94 (p2-16): 三、中子嬗变掺杂技术 95 (p2-17): 第七节 连线材料和工艺 95 (p2-18): 一、金属布线工艺及金属膜的特性 96 (p2-19): 二、铝及其他金属布线工艺的讨论 99 (p3): 第三章 粒子束与固体的相互作用 99 (p3-2): 第一节 概述 101 (p3-3): 第二节 电子束与固体的相互作用 101 (p3-4): 一、电子与固体的相互作用 106 (p3-5): 二、电子能量损耗机理 118 (p3-6): 三、靶中的物理效应 121 (p3-7): 第三节 离子束与固体的相互作用 121 (p3-8): 一、离子与固体的相互作用 124 (p3-9): 二、能量损耗机理 128 (p4): 第四章 微细加工中的薄膜技术 130 (p4-2): 一、物理气相沉积的基础 131 (p4-3): 一、光刻用的X射线光源 131 (p4-4): 第四节 光源及其与固体的相互作用 132 (p4-5): 二、光源 134 (p4-6): 三、光子与物质的相互作用 139 (p4-7): 第一节 物理气相沉积 140 (p4-8): 二、电子束蒸发 142 (p4-9): 三、溅射沉积 145 (p4-10): 四、磁控溅射 147 (p4-11): 五、薄膜厚度的测量和监控 149 (p4-12): 第二节 化学气相沉积 149 (p4-13): 一、常压化学气相沉积 150 (p4-14): 二、低压化学气相沉积 153 (p4-15): 三、等离子体化学气相沉积 155 (p4-16): 第三节 保护层薄膜和掩膜 155 (p4-17): 一、氧化硅薄膜 158 (p4-18): 二、磷硅玻璃薄膜 161 (p4-19): 三、氮化硅 165 (p4-20): 四、氮氧化硅薄膜 166 (p4-21): 五、非晶硅薄膜 167 (p4-22): 六、自对准掩膜 175 (p4-23): 第四节 掺杂用薄膜...
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备选作者
胡耀志 黄光周等
备用出版商
广东科技出版社 Guang dong ke ji chu ban she
备用出版商
Guangdong Science & Technology Press
备用版本
China, People's Republic, China
备用版本
Di 1 ban, 广州 Guang zhou, 1993
备用版本
Guang zhou, 1993.2
元数据中的注释
Bookmarks: p1 (p1): 第一章 微细加工的基本方法
p1-2 (p1): 第一节 微细加工的范围、特点和应用
p1-3 (p1): 一、微细加工的范围及特点
p1-4 (p3): 二、微细加工的应用及分类
p1-5 (p5): 第二节 机械微细加工
p1-6 (p5): 一、微细切削加工
p1-7 (p6): 二、微孔加工
p1-8 (p10): 三、变形加工
p1-9 (p13): 四、磨料加工
p1-10 (p18): 五、喷射加工
p1-11 (p22): 第三节 化学方法的微细加工
p1-12 (p22): 一、化学刻蚀
p1-13 (p27): 二、化学抛光
p1-14 (p33): 第四节 电化学的微细加工
p1-15 (p34): 一、电铸法微细加工
p1-16 (p37): 二、电解加工
p1-17 (p39): 三、电解磨削
p1-18 (p41): 四、电解抛光
p1-19 (p45): 一、电子束加工
p1-20 (p45): 第五节 粒子束的微细加工
p1-21 (p49): 二、离子束微细加工
p1-22 (p49): 三、分子束和原子束加工
p1-23 (p50): 四、激光微细加工
p1-24 (p58): 第六节 微波和超声波加工
p1-25 (p58): 一、微波微细加工
p1-26 (p59): 二、超声波微细加工
p2 (p64): 第二章 微电子技术中图形加工的一般方法
p2-2 (p64): 第一节 制造微细图形的要求
p2-3 (p66): 第二节 外延
p2-4 (p69): 第三节 氧化
p2-5 (p72): 第四节 光刻
p2-6 (p74): 一、制版工艺
p2-7 (p76): 二、投影复制
p2-8 (p76): 三、电子束光刻
p2-9 (p79): 四、X射线光刻
p2-10 (p81): 第五节 刻蚀
p2-11 (p82): 一、化学刻蚀
p2-12 (p82): 二、各向异性刻蚀
p2-13 (p85): 第六节 掺杂
p2-14 (p86): 一、扩散
p2-15 (p90): 二、离子注入
p2-16 (p94): 三、中子嬗变掺杂技术
p2-17 (p95): 第七节 连线材料和工艺
p2-18 (p95): 一、金属布线工艺及金属膜的特性
p2-19 (p96): 二、铝及其他金属布线工艺的讨论
p3 (p99): 第三章 粒子束与固体的相互作用
p3-2 (p99): 第一节 概述
p3-3 (p101): 第二节 电子束与固体的相互作用
p3-4 (p101): 一、电子与固体的相互作用
p3-5 (p106): 二、电子能量损耗机理
p3-6 (p118): 三、靶中的物理效应
p3-7 (p121): 第三节 离子束与固体的相互作用
p3-8 (p121): 一、离子与固体的相互作用
p3-9 (p124): 二、能量损耗机理
p4 (p128): 第四章 微细加工中的薄膜技术
p4-2 (p130): 一、物理气相沉积的基础
p4-3 (p131): 一、光刻用的X射线光源
p4-4 (p131): 第四节 光源及其与固体的相互作用
p4-5 (p132): 二、光源
p4-6 (p134): 三、光子与物质的相互作用
p4-7 (p139): 第一节 物理气相沉积
p4-8 (p140): 二、电子束蒸发
p4-9 (p142): 三、溅射沉积
p4-10 (p145): 四、磁控溅射
p4-11 (p147): 五、薄膜厚度的测量和监控
p4-12 (p149): 第二节 化学气相沉积
p4-13 (p149): 一、常压化学气相沉积
p4-14 (p150): 二、低压化学气相沉积
p4-15 (p153): 三、等离子体化学气相沉积
p4-16 (p155): 第三节 保护层薄膜和掩膜
p4-17 (p155): 一、氧化硅薄膜
p4-18 (p158): 二、磷硅玻璃薄膜
p4-19 (p161): 三、氮化硅
p4-20 (p165): 四、氮氧化硅薄膜
p4-21 (p166): 五、非晶硅薄膜
p4-22 (p167): 六、自对准掩膜
p4-23 (p175): 第四节 掺杂用薄膜
p4-24 (p176): 一、硅的掺杂源
p4-25 (p177): 二、种化镓的掺杂源
p4-26 (p178): 第五节 互连薄膜
p4-27 (p178): 一、概述
p4-28 (p182): 二、单金属互连薄膜
p4-29 (p184): 三、电迁移效应
p4-30 (p186): 四、多层金属互连
p4-31 (p187): 第六节 欧姆接触
p4-32 (p187): 一、欧姆接触的形成
p4-33 (p188): 二、单层欧姆接触
p4-34 (p189): 三、柯肯德尔效应
p4-35 (p192): 四、多层接触薄膜
p4-36 (p196): 五、管芯连接
p5 (p199): 第五章 微细加工中的光刻原理与工艺
p5-2 (p199): 第一节 光刻工艺过程
p5-3 (p201): 第二节 光学光刻工艺
p5-4 (p202): 一、接触曝光
p5-5 (p204): 二、接近曝光
p5-6 (p204): 三、投影曝光
p5-7 (p208): 四、光学曝光的物理限制
p5-8 (p218): 五、数值孔径
p5-9 (p223): 六、波长
p5-10 (p224): 七、聚焦深度
p5-11 (p224): 八、驻波效应
p5-12 (p225): 第三节 电子束光刻工艺
p5-13 (p226): 一、电子在固体中的散射
p5-14 (p229): 二、电子束光刻系统及其限制
p5-15 (p235): 三、图形的曝光方式
p5-16 (p241): 一、概述
p5-17 (p241): 第四节 X射线光刻工艺
p5-18 (p244): 二、X射线与粒子的作用
p5-19 (p247): 三、X射线曝光用掩模
p5-20 (p249): 第五节 离子束光刻
p6 (p251): 第六章 微细加工中的刻蚀和清洗工艺
p6-2 (p252): 第一节 湿法化学刻蚀
p6-3 (p254): 一、结晶材料的刻蚀
p6-4 (p255): 二、硅的湿法刻蚀
p6-5 (p258): 三、砷化镓的湿法刻蚀
p6-6 (p263): 四、各向异性湿法刻蚀
p6-7 (p267): 五、结晶学刻蚀
p6-8 (p271): 六、非晶膜的刻蚀
p6-9 (p282): 第二节 等离子体刻蚀
p6-10 (p286): 一、光刻胶的去除
p6-11 (p288): 二、刻蚀的负载效应
p6-12 (p290): 三、图形的刻蚀
p6-13 (p295): 四、用于干法刻蚀中的终点检测
p6-14 (p297): 第三节 等离子体辅助刻蚀
p6-15 (p299): 一、溅射刻蚀
p6-16 (p302): 二、离子磨铣
p6-17 (p305): 第四节 微细加工中的清洗工艺
p7 (p309): 第七章 三维多层光刻胶系统的微细加工
p7-2 (p309): 第一节 概述
p7-3 (p311): 第二节 MLR系统的机能
p7-4 (p311): 一、光刻
p7-5 (p314): 二、电子束光刻
p7-6 (p318): 三、X射线光刻
p7-7 (p320): 四、离子束光刻
p7-8 (p321): 第三节 当前的MLR系统
p7-9 (p322): 一、MLR的初始阶段
p7-10 (p324): 二、MLR的发展阶段
p7-11 (p329): 三、MLR的完善阶段
p7-12 (p332): 四、单层方案
p7-13 (p334): 第四节 多层系统的实际加工工艺
p7-14 (p334): 一、平面化技术
p7-15 (p337): 二、针孔
p7-16 (p340): 三、光刻胶的附加缺陷
p7-17 (p341): 四、界面层
p7-18 (p345): 六、薄膜的应力
p7-19 (p345): 五、刻蚀的残留物
p7-20 (p346): 七、干涉效应
p7-21 (p346): 八、曝光和对准的光谱透射
p7-22 (p347): 九、检查方法
p7-23 (p349): 十、光刻胶层的剥离
p7-24 (p350): 第五节 现有MLR系统的比较
p7-25 (p350): 一、1LR、2LR和3LR系统的比较
p7-26 (p353): 二、深紫外线PCM和反应离子刻蚀PCM系统的比较
p7-27 (p356): 三、结论
p7-28 (p358): 主要参考文献
p1-2 (p1): 第一节 微细加工的范围、特点和应用
p1-3 (p1): 一、微细加工的范围及特点
p1-4 (p3): 二、微细加工的应用及分类
p1-5 (p5): 第二节 机械微细加工
p1-6 (p5): 一、微细切削加工
p1-7 (p6): 二、微孔加工
p1-8 (p10): 三、变形加工
p1-9 (p13): 四、磨料加工
p1-10 (p18): 五、喷射加工
p1-11 (p22): 第三节 化学方法的微细加工
p1-12 (p22): 一、化学刻蚀
p1-13 (p27): 二、化学抛光
p1-14 (p33): 第四节 电化学的微细加工
p1-15 (p34): 一、电铸法微细加工
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p1-18 (p41): 四、电解抛光
p1-19 (p45): 一、电子束加工
p1-20 (p45): 第五节 粒子束的微细加工
p1-21 (p49): 二、离子束微细加工
p1-22 (p49): 三、分子束和原子束加工
p1-23 (p50): 四、激光微细加工
p1-24 (p58): 第六节 微波和超声波加工
p1-25 (p58): 一、微波微细加工
p1-26 (p59): 二、超声波微细加工
p2 (p64): 第二章 微电子技术中图形加工的一般方法
p2-2 (p64): 第一节 制造微细图形的要求
p2-3 (p66): 第二节 外延
p2-4 (p69): 第三节 氧化
p2-5 (p72): 第四节 光刻
p2-6 (p74): 一、制版工艺
p2-7 (p76): 二、投影复制
p2-8 (p76): 三、电子束光刻
p2-9 (p79): 四、X射线光刻
p2-10 (p81): 第五节 刻蚀
p2-11 (p82): 一、化学刻蚀
p2-12 (p82): 二、各向异性刻蚀
p2-13 (p85): 第六节 掺杂
p2-14 (p86): 一、扩散
p2-15 (p90): 二、离子注入
p2-16 (p94): 三、中子嬗变掺杂技术
p2-17 (p95): 第七节 连线材料和工艺
p2-18 (p95): 一、金属布线工艺及金属膜的特性
p2-19 (p96): 二、铝及其他金属布线工艺的讨论
p3 (p99): 第三章 粒子束与固体的相互作用
p3-2 (p99): 第一节 概述
p3-3 (p101): 第二节 电子束与固体的相互作用
p3-4 (p101): 一、电子与固体的相互作用
p3-5 (p106): 二、电子能量损耗机理
p3-6 (p118): 三、靶中的物理效应
p3-7 (p121): 第三节 离子束与固体的相互作用
p3-8 (p121): 一、离子与固体的相互作用
p3-9 (p124): 二、能量损耗机理
p4 (p128): 第四章 微细加工中的薄膜技术
p4-2 (p130): 一、物理气相沉积的基础
p4-3 (p131): 一、光刻用的X射线光源
p4-4 (p131): 第四节 光源及其与固体的相互作用
p4-5 (p132): 二、光源
p4-6 (p134): 三、光子与物质的相互作用
p4-7 (p139): 第一节 物理气相沉积
p4-8 (p140): 二、电子束蒸发
p4-9 (p142): 三、溅射沉积
p4-10 (p145): 四、磁控溅射
p4-11 (p147): 五、薄膜厚度的测量和监控
p4-12 (p149): 第二节 化学气相沉积
p4-13 (p149): 一、常压化学气相沉积
p4-14 (p150): 二、低压化学气相沉积
p4-15 (p153): 三、等离子体化学气相沉积
p4-16 (p155): 第三节 保护层薄膜和掩膜
p4-17 (p155): 一、氧化硅薄膜
p4-18 (p158): 二、磷硅玻璃薄膜
p4-19 (p161): 三、氮化硅
p4-20 (p165): 四、氮氧化硅薄膜
p4-21 (p166): 五、非晶硅薄膜
p4-22 (p167): 六、自对准掩膜
p4-23 (p175): 第四节 掺杂用薄膜
p4-24 (p176): 一、硅的掺杂源
p4-25 (p177): 二、种化镓的掺杂源
p4-26 (p178): 第五节 互连薄膜
p4-27 (p178): 一、概述
p4-28 (p182): 二、单金属互连薄膜
p4-29 (p184): 三、电迁移效应
p4-30 (p186): 四、多层金属互连
p4-31 (p187): 第六节 欧姆接触
p4-32 (p187): 一、欧姆接触的形成
p4-33 (p188): 二、单层欧姆接触
p4-34 (p189): 三、柯肯德尔效应
p4-35 (p192): 四、多层接触薄膜
p4-36 (p196): 五、管芯连接
p5 (p199): 第五章 微细加工中的光刻原理与工艺
p5-2 (p199): 第一节 光刻工艺过程
p5-3 (p201): 第二节 光学光刻工艺
p5-4 (p202): 一、接触曝光
p5-5 (p204): 二、接近曝光
p5-6 (p204): 三、投影曝光
p5-7 (p208): 四、光学曝光的物理限制
p5-8 (p218): 五、数值孔径
p5-9 (p223): 六、波长
p5-10 (p224): 七、聚焦深度
p5-11 (p224): 八、驻波效应
p5-12 (p225): 第三节 电子束光刻工艺
p5-13 (p226): 一、电子在固体中的散射
p5-14 (p229): 二、电子束光刻系统及其限制
p5-15 (p235): 三、图形的曝光方式
p5-16 (p241): 一、概述
p5-17 (p241): 第四节 X射线光刻工艺
p5-18 (p244): 二、X射线与粒子的作用
p5-19 (p247): 三、X射线曝光用掩模
p5-20 (p249): 第五节 离子束光刻
p6 (p251): 第六章 微细加工中的刻蚀和清洗工艺
p6-2 (p252): 第一节 湿法化学刻蚀
p6-3 (p254): 一、结晶材料的刻蚀
p6-4 (p255): 二、硅的湿法刻蚀
p6-5 (p258): 三、砷化镓的湿法刻蚀
p6-6 (p263): 四、各向异性湿法刻蚀
p6-7 (p267): 五、结晶学刻蚀
p6-8 (p271): 六、非晶膜的刻蚀
p6-9 (p282): 第二节 等离子体刻蚀
p6-10 (p286): 一、光刻胶的去除
p6-11 (p288): 二、刻蚀的负载效应
p6-12 (p290): 三、图形的刻蚀
p6-13 (p295): 四、用于干法刻蚀中的终点检测
p6-14 (p297): 第三节 等离子体辅助刻蚀
p6-15 (p299): 一、溅射刻蚀
p6-16 (p302): 二、离子磨铣
p6-17 (p305): 第四节 微细加工中的清洗工艺
p7 (p309): 第七章 三维多层光刻胶系统的微细加工
p7-2 (p309): 第一节 概述
p7-3 (p311): 第二节 MLR系统的机能
p7-4 (p311): 一、光刻
p7-5 (p314): 二、电子束光刻
p7-6 (p318): 三、X射线光刻
p7-7 (p320): 四、离子束光刻
p7-8 (p321): 第三节 当前的MLR系统
p7-9 (p322): 一、MLR的初始阶段
p7-10 (p324): 二、MLR的发展阶段
p7-11 (p329): 三、MLR的完善阶段
p7-12 (p332): 四、单层方案
p7-13 (p334): 第四节 多层系统的实际加工工艺
p7-14 (p334): 一、平面化技术
p7-15 (p337): 二、针孔
p7-16 (p340): 三、光刻胶的附加缺陷
p7-17 (p341): 四、界面层
p7-18 (p345): 六、薄膜的应力
p7-19 (p345): 五、刻蚀的残留物
p7-20 (p346): 七、干涉效应
p7-21 (p346): 八、曝光和对准的光谱透射
p7-22 (p347): 九、检查方法
p7-23 (p349): 十、光刻胶层的剥离
p7-24 (p350): 第五节 现有MLR系统的比较
p7-25 (p350): 一、1LR、2LR和3LR系统的比较
p7-26 (p353): 二、深紫外线PCM和反应离子刻蚀PCM系统的比较
p7-27 (p356): 三、结论
p7-28 (p358): 主要参考文献
元数据中的注释
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topic: 机电-微细加工 微细加工-机电
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tags: 机电产品;微细;加工技术;工艺;广东;九十年代;专著
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1. (p1) 第一章 微细加工的基本方法
1.1. (p1) 第一节 微细加工的范围、特点和应用
1.1.1. (p1) 一、微细加工的范围及特点
1.1.2. (p3) 二、微细加工的应用及分类
1.2. (p5) 第二节 机械微细加工
1.2.1. (p5) 一、微细切削加工
1.2.2. (p6) 二、微孔加工
1.2.3. (p10) 三、变形加工
1.2.4. (p13) 四、磨料加工
1.2.5. (p18) 五、喷射加工
1.3. (p22) 第三节 化学方法的微细加工
1.3.1. (p22) 一、化学刻蚀
1.3.2. (p27) 二、化学抛光
1.4. (p33) 第四节 电化学的微细加工
1.4.1. (p34) 一、电铸法微细加工
1.4.2. (p37) 二、电解加工
1.4.3. (p39) 三、电解磨削
1.4.4. (p41) 四、电解抛光
1.5. (p45) 第五节 粒子束的微细加工
1.5.1. (p45) 一、电子束加工
1.5.2. (p49) 二、离子束微细加工
1.5.3. (p49) 三、分子束和原子束加工
1.5.4. (p50) 四、激光微细加工
1.6. (p58) 第六节 微波和超声波加工
2. (p64) 第二章 微电子技术中图形加工的一般方法
2.1. (p64) 第一节 制造微细图形的要求
2.2. (p66) 第二节 外延
2.3. (p69) 第三节 氧化
2.4. (p72) 第四节 光刻
2.4.1. (p74) 一、制版工艺
2.4.2. (p76) 二、投影复制
2.4.3. (p76) 三、电子束光刻
2.4.4. (p79) 四、X射线光刻
2.5. (p81) 第五节 刻蚀
2.5.1. (p82) 一、化学刻蚀
2.5.2. (p82) 二、各向异性刻蚀
2.6. (p85) 第六节 掺杂
2.6.1. (p86) 一、扩散
2.6.2. (p90) 二、离子注入
2.6.3. (p94) 三、中子嬗变掺杂技术
2.7. (p95) 第七节 连线材料和工艺
3. (p99) 第三章 粒子束与固体的相互作用
3.1. (p99) 第一节 概述
3.2. (p101) 第二节 电子束与固体的相互作用
3.2.1. (p101) 一、电子与固体的相互作用
3.2.2. (p106) 二、电子能量损耗机理
3.2.3. (p118) 三、靶中的物理效应
3.3. (p121) 第三节 离子束与固体的相互作用
3.3.1. (p121) 一、离子与固体的相互作用
3.3.2. (p124) 二、能量损耗机理
3.4. (p131) 第四节 光源及其与固体的相互作用
4. (p128) 第四章 微细加工中的薄膜技术
4.1. (p139) 第一节 物理气相沉积
4.1.1. (p130) 一、物理气相沉积的基础
4.1.2. (p140) 二、电子束蒸发
4.1.3. (p142) 三、溅射沉积
4.1.4. (p145) 四、磁控溅射
4.1.5. (p147) 五、薄膜厚度的测量和监控
4.2. (p149) 第二节 化学气相沉积
4.2.1. (p149) 一、常压化学气相沉积
4.2.2. (p150) 二、低压化学气相沉积
4.2.3. (p153) 三、等离子体化学气相沉积
4.3. (p155) 第三节 保护层薄膜和掩膜
4.3.1. (p155) 一、氧化硅薄膜
4.3.2. (p158) 二、磷硅玻璃薄膜
4.3.3. (p161) 三、氮化硅
4.3.4. (p165) 四、氮氧化硅薄膜
4.3.5. (p166) 五、非晶硅薄膜
4.3.6. (p167) 六、自对准掩膜
4.4. (p175) 第四节 掺杂用薄膜
4.4.1. (p176) 一、硅的掺杂源
4.4.2. (p177) 二、种化镓的掺杂源
4.5. (p178) 第五节 互连薄膜
4.5.1. (p178) 一、概述
4.5.2. (p182) 二、单金属互连薄膜
4.5.3. (p184) 三、电迁移效应
4.5.4. (p186) 四、多层金属互连
4.6. (p187) 第六节 欧姆接触
5. (p199) 第五章 微细加工中的光刻原理与工艺
5.1. (p199) 第一节 光刻工艺过程
5.2. (p201) 第二节 光学光刻工艺
5.2.1. (p202) 一、接触曝光
5.2.2. (p204) 二、接近曝光
5.2.3. (p204) 三、投影曝光
5.2.4. (p208) 四、光学曝光的物理限制
5.2.5. (p218) 五、数值孔径
5.2.6. (p223) 六、波长
5.2.7. (p224) 七、聚焦深度
5.2.8. (p224) 八、驻波效应
5.3. (p225) 第三节 电子束光刻工艺
5.3.1. (p226) 一、电子在固体中的散射
5.3.2. (p229) 二、电子束光刻系统及其限制
5.3.3. (p235) 三、图形的曝光方式
5.4. (p241) 第四节 X射线光刻工艺
5.4.1. (p241) 一、概述
5.4.2. (p244) 二、X射线与粒子的作用
5.4.3. (p247) 三、X射线曝光用掩模
5.5. (p249) 第五节 离子束光刻
6. (p251) 第六章 微细加工中的刻蚀和清洗工艺
6.1. (p252) 第一节 湿法化学刻蚀
6.1.1. (p254) 一、结晶材料的刻蚀
6.1.2. (p255) 二、硅的湿法刻蚀
6.1.3. (p258) 三、砷化镓的湿法刻蚀
6.1.4. (p263) 四、各向异性湿法刻蚀
6.1.5. (p267) 五、结晶学刻蚀
6.1.6. (p271) 六、非晶膜的刻蚀
6.2. (p282) 第二节 等离子体刻蚀
6.2.1. (p286) 一、光刻胶的去除
6.2.2. (p288) 二、刻蚀的负载效应
6.2.3. (p290) 三、图形的刻蚀
6.2.4. (p295) 四、用于干法刻蚀中的终点检测
6.3. (p297) 第三节 等离子体辅助刻蚀
6.3.1. (p299) 一、溅射刻蚀
6.3.2. (p302) 二、离子磨铣
6.4. (p305) 第四节 微细加工中的清洗工艺
7. (p309) 第七章 三维多层光刻胶系统的微细加工
7.1. (p309) 第一节 概述
7.2. (p311) 第二节 MLR系统的机能
7.2.1. (p311) 一、光刻
7.2.2. (p314) 二、电子束光刻
7.2.3. (p318) 三、X射线光刻
7.2.4. (p320) 四、离子束光刻
7.3. (p321) 第三节 当前的MLR系统
7.3.1. (p322) 一、MLR的初始阶段
7.3.2. (p324) 二、MLR的发展阶段
7.3.3. (p329) 三、MLR的完善阶段
7.3.4. (p332) 四、单层方案
7.4. (p334) 第四节 多层系统的实际加工工艺
7.4.1. (p334) 一、平面化技术
7.4.2. (p337) 二、针孔
7.4.3. (p340) 三、光刻胶的附加缺陷
7.4.4. (p341) 四、界面层
7.4.5. (p345) 五、刻蚀的残留物
7.4.6. (p345) 六、薄膜的应力
7.4.7. (p346) 七、干涉效应
7.4.8. (p346) 八、曝光和对准的光谱透射
7.4.9. (p347) 九、检查方法
7.4.10. (p349) 十、光刻胶层的剥离
7.5. (p350) 第五节 现有MLR系统的比较
7.5.1. (p350) 一、1LR、2LR和3LR系统的比较
7.5.2. (p353) 二、深紫外线PCM和反应离子刻蚀PCM系统的比较
7.5.3. (p356) 三、结论
1. (p1) 第一章 微细加工的基本方法
1.1. (p1) 第一节 微细加工的范围、特点和应用
1.1.1. (p1) 一、微细加工的范围及特点
1.1.2. (p3) 二、微细加工的应用及分类
1.2. (p5) 第二节 机械微细加工
1.2.1. (p5) 一、微细切削加工
1.2.2. (p6) 二、微孔加工
1.2.3. (p10) 三、变形加工
1.2.4. (p13) 四、磨料加工
1.2.5. (p18) 五、喷射加工
1.3. (p22) 第三节 化学方法的微细加工
1.3.1. (p22) 一、化学刻蚀
1.3.2. (p27) 二、化学抛光
1.4. (p33) 第四节 电化学的微细加工
1.4.1. (p34) 一、电铸法微细加工
1.4.2. (p37) 二、电解加工
1.4.3. (p39) 三、电解磨削
1.4.4. (p41) 四、电解抛光
1.5. (p45) 第五节 粒子束的微细加工
1.5.1. (p45) 一、电子束加工
1.5.2. (p49) 二、离子束微细加工
1.5.3. (p49) 三、分子束和原子束加工
1.5.4. (p50) 四、激光微细加工
1.6. (p58) 第六节 微波和超声波加工
2. (p64) 第二章 微电子技术中图形加工的一般方法
2.1. (p64) 第一节 制造微细图形的要求
2.2. (p66) 第二节 外延
2.3. (p69) 第三节 氧化
2.4. (p72) 第四节 光刻
2.4.1. (p74) 一、制版工艺
2.4.2. (p76) 二、投影复制
2.4.3. (p76) 三、电子束光刻
2.4.4. (p79) 四、X射线光刻
2.5. (p81) 第五节 刻蚀
2.5.1. (p82) 一、化学刻蚀
2.5.2. (p82) 二、各向异性刻蚀
2.6. (p85) 第六节 掺杂
2.6.1. (p86) 一、扩散
2.6.2. (p90) 二、离子注入
2.6.3. (p94) 三、中子嬗变掺杂技术
2.7. (p95) 第七节 连线材料和工艺
3. (p99) 第三章 粒子束与固体的相互作用
3.1. (p99) 第一节 概述
3.2. (p101) 第二节 电子束与固体的相互作用
3.2.1. (p101) 一、电子与固体的相互作用
3.2.2. (p106) 二、电子能量损耗机理
3.2.3. (p118) 三、靶中的物理效应
3.3. (p121) 第三节 离子束与固体的相互作用
3.3.1. (p121) 一、离子与固体的相互作用
3.3.2. (p124) 二、能量损耗机理
3.4. (p131) 第四节 光源及其与固体的相互作用
4. (p128) 第四章 微细加工中的薄膜技术
4.1. (p139) 第一节 物理气相沉积
4.1.1. (p130) 一、物理气相沉积的基础
4.1.2. (p140) 二、电子束蒸发
4.1.3. (p142) 三、溅射沉积
4.1.4. (p145) 四、磁控溅射
4.1.5. (p147) 五、薄膜厚度的测量和监控
4.2. (p149) 第二节 化学气相沉积
4.2.1. (p149) 一、常压化学气相沉积
4.2.2. (p150) 二、低压化学气相沉积
4.2.3. (p153) 三、等离子体化学气相沉积
4.3. (p155) 第三节 保护层薄膜和掩膜
4.3.1. (p155) 一、氧化硅薄膜
4.3.2. (p158) 二、磷硅玻璃薄膜
4.3.3. (p161) 三、氮化硅
4.3.4. (p165) 四、氮氧化硅薄膜
4.3.5. (p166) 五、非晶硅薄膜
4.3.6. (p167) 六、自对准掩膜
4.4. (p175) 第四节 掺杂用薄膜
4.4.1. (p176) 一、硅的掺杂源
4.4.2. (p177) 二、种化镓的掺杂源
4.5. (p178) 第五节 互连薄膜
4.5.1. (p178) 一、概述
4.5.2. (p182) 二、单金属互连薄膜
4.5.3. (p184) 三、电迁移效应
4.5.4. (p186) 四、多层金属互连
4.6. (p187) 第六节 欧姆接触
5. (p199) 第五章 微细加工中的光刻原理与工艺
5.1. (p199) 第一节 光刻工艺过程
5.2. (p201) 第二节 光学光刻工艺
5.2.1. (p202) 一、接触曝光
5.2.2. (p204) 二、接近曝光
5.2.3. (p204) 三、投影曝光
5.2.4. (p208) 四、光学曝光的物理限制
5.2.5. (p218) 五、数值孔径
5.2.6. (p223) 六、波长
5.2.7. (p224) 七、聚焦深度
5.2.8. (p224) 八、驻波效应
5.3. (p225) 第三节 电子束光刻工艺
5.3.1. (p226) 一、电子在固体中的散射
5.3.2. (p229) 二、电子束光刻系统及其限制
5.3.3. (p235) 三、图形的曝光方式
5.4. (p241) 第四节 X射线光刻工艺
5.4.1. (p241) 一、概述
5.4.2. (p244) 二、X射线与粒子的作用
5.4.3. (p247) 三、X射线曝光用掩模
5.5. (p249) 第五节 离子束光刻
6. (p251) 第六章 微细加工中的刻蚀和清洗工艺
6.1. (p252) 第一节 湿法化学刻蚀
6.1.1. (p254) 一、结晶材料的刻蚀
6.1.2. (p255) 二、硅的湿法刻蚀
6.1.3. (p258) 三、砷化镓的湿法刻蚀
6.1.4. (p263) 四、各向异性湿法刻蚀
6.1.5. (p267) 五、结晶学刻蚀
6.1.6. (p271) 六、非晶膜的刻蚀
6.2. (p282) 第二节 等离子体刻蚀
6.2.1. (p286) 一、光刻胶的去除
6.2.2. (p288) 二、刻蚀的负载效应
6.2.3. (p290) 三、图形的刻蚀
6.2.4. (p295) 四、用于干法刻蚀中的终点检测
6.3. (p297) 第三节 等离子体辅助刻蚀
6.3.1. (p299) 一、溅射刻蚀
6.3.2. (p302) 二、离子磨铣
6.4. (p305) 第四节 微细加工中的清洗工艺
7. (p309) 第七章 三维多层光刻胶系统的微细加工
7.1. (p309) 第一节 概述
7.2. (p311) 第二节 MLR系统的机能
7.2.1. (p311) 一、光刻
7.2.2. (p314) 二、电子束光刻
7.2.3. (p318) 三、X射线光刻
7.2.4. (p320) 四、离子束光刻
7.3. (p321) 第三节 当前的MLR系统
7.3.1. (p322) 一、MLR的初始阶段
7.3.2. (p324) 二、MLR的发展阶段
7.3.3. (p329) 三、MLR的完善阶段
7.3.4. (p332) 四、单层方案
7.4. (p334) 第四节 多层系统的实际加工工艺
7.4.1. (p334) 一、平面化技术
7.4.2. (p337) 二、针孔
7.4.3. (p340) 三、光刻胶的附加缺陷
7.4.4. (p341) 四、界面层
7.4.5. (p345) 五、刻蚀的残留物
7.4.6. (p345) 六、薄膜的应力
7.4.7. (p346) 七、干涉效应
7.4.8. (p346) 八、曝光和对准的光谱透射
7.4.9. (p347) 九、检查方法
7.4.10. (p349) 十、光刻胶层的剥离
7.5. (p350) 第五节 现有MLR系统的比较
7.5.1. (p350) 一、1LR、2LR和3LR系统的比较
7.5.2. (p353) 二、深紫外线PCM和反应离子刻蚀PCM系统的比较
7.5.3. (p356) 三、结论
元数据中的注释
Subject: 机电产品;微细;加工技术;工艺;广东;九十年代;专著
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theme: 机电-微细加工 微细加工-机电
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label: 机电产品;微细;加工技术;工艺;广东;九十年代;专著
元数据中的注释
Type: modern
备用描述
Ben shu cong ji dian yi ti hua de jiao du, lun shu jing mi ji xie he wei dian zi ji shu zhei liang fang mian de wei xi jia gong ji shu yu gong yi, zhong dian jie shao ji cheng dian lu de sheng chan ji shu, Gong yi yuan li he jia gong fang fa
备用描述
本书论述精密机械和微电子技术的微细加工技术与工艺, 重点介绍集成电路的生产技术, 工艺原理和加工方法
开源日期
2024-06-13
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