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Strain-induced Effects In Advanced Mosfets (computational Microelectronics) 🔍
Viktor Sverdlov (auth.) Springer-Verlag Wien, Computational Microelectronics, Computational Microelectronics, 1, 2011
英语 [en] · PDF · 6.0MB · 2011 · 📘 非小说类图书 · 🚀/lgli/lgrs/nexusstc/scihub/zlib · Save
描述
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
Erscheinungsdatum: 24.11.2010
备用文件名
lgrsnf/A:\compressed\10.1007%2F978-3-7091-0382-1.pdf
备用文件名
nexusstc/Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs/5d482865cc2c0cd5d0efc58f33e70569.pdf
备用文件名
scihub/10.1007/978-3-7091-0382-1.pdf
备用文件名
zlib/Engineering/Viktor Sverdlov (auth.)/Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs_2097351.pdf
备选作者
by Viktor Sverdlov
备选作者
Sverdlov, Viktor
备用出版商
Springer-Verlag GmbH
备用出版商
New York Springer
备用出版商
Springer Vienna
备用版本
Computational Microelectronics, Vienna, Austria, 2011
备用版本
Computational microelectronics, Wien, ©2011
备用版本
Springer Nature, Vienna, 2011
备用版本
Austria, Austria
备用版本
2011, 2010
元数据中的注释
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元数据中的注释
MiU
备用描述
Front Matter....Pages i-xiv
Introduction....Pages 1-3
Scaling, Power Consumption, and Mobility Enhancement Techniques....Pages 5-22
Strain and Stress....Pages 23-34
Basic Properties of the Silicon Lattice....Pages 35-44
Band Structure of Relaxed Silicon....Pages 45-62
Perturbative Methods for Band Structure Calculations in Silicon....Pages 63-81
Strain Effects on the Silicon Crystal Structure....Pages 83-90
Strain Effects on the Silicon Band Structure....Pages 91-103
Strain Effects on the Conduction Band of Silicon....Pages 105-121
Electron Subbands in Silicon in the Effective Mass Approximation....Pages 123-129
Electron Subbands in Thin Silicon Films....Pages 131-167
Demands of Transport Modeling in Advanced MOSFETs....Pages 169-237
Back Matter....Pages 239-252
备用描述
Annotation Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given
开源日期
2013-08-01
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